晶體結構失效分析的電子顯微鏡-電子元件檢測

EoS失效分析——透射電子顯微鏡

    透射電子顯微鏡(TEM)是一個用于ESD失效分析的電子顯微鏡工
具一。TEM技術利用電子束轟擊薄膜樣品。與SEM使用散射電子不
同，TEM中電子會穿透樣品。樣品必須非常薄以允許電子束的傳輸
。TEM圖像是電子通過樣品并放大，然后聚焦在物鏡上形成的，圖
像出現在成像屏上。成像電子、顯示器、膠片、傳感器或CCD相機
用來存儲圖像。因為樣品制備的困難，TEM分析是耗時而且困難的
；盡管困難，TEM還是用來評估ESD事件后材料性能的變化。例如，
互連薄膜和硅化薄膜的TEM分析展示了ESD應力后晶體結構的變化。

    EOS失效分析——電壓對比工具

    有源電壓對比(AVC)技術可以用來評估與“開路”和“短路”
相關的EOS失效機制。對于大型結構、鏈路和復雜互連，無源電壓
對比(PVC)的作用很有限。AVC技術的一個優勢是對比的提升，對較
大的缺陷和復雜電路的開路、短路或結構缺陷之間的區別更清晰。

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