系統芯片晶體設計工藝技術故障測試顯微鏡
半導體工藝技術的不斷進步使大型的和復雜的系統芯片的設計成為
可能。一方面，先進工藝的使用有助于滿足現代電子產業關于計算
處理能力、速度、芯片尺寸和形狀系數的需求；另一方面，它也帶
來幾項測試的挑戰。這些測試挑戰中的一部分與測試數據容量和測
試模式大小有關，是由于芯片龐大的尺寸所造成的，其他的測試挑
戰是新出現的并且不易理解，其中一個關鍵的挑戰就是小延遲缺陷
的測試和診斷。如果小延遲缺陷發生在關鍵路徑上，則它們會引起
電路的即刻失效，而如果它們發生在非關鍵路徑上也會引起主要的
質量問題。需要重點強調的就是，小延遲缺陷并不是半導體產業中
新出現的一種現象，它們也存在于較老的工藝節點中。但是在先進
的節點中，它們的重要性和對產品質量的影響顯著增加。在現今的
數千兆赫級以及數百萬級晶體管設計中，對小延遲缺陷的測試是在
產品很短的生命跨度期間確保產品質量的關鍵所在。
傳統的測試方法例如固定型故障測試以及過渡故障測試，它們
確實能夠對大部分缺陷產生很高的覆蓋率。但是在固定型故障測試
無法覆蓋小延遲缺陷的地方，過渡故障測試也無法鎖定并檢測所有
種類的小延遲缺陷。例如，在非常短的路徑上的小延遲缺陷很有可
能無法被傳統的過渡故障模式所檢測到，因為傳統的過渡故障模式
通常沿著較簡單的可測路徑而生成，這可能是較短的、中間長度的
或是較長的路徑。路徑延遲模式可以提供小延遲缺陷很好的覆蓋率
，但隨著設計復雜度的增加，它們也會遭受路徑數量的指數型增長
。簡言之，對小延遲缺陷的高質量的測試需要特殊的(通常是專用
的)測試方法，這些方法可以分為三個基本類別：①時序敏感模式
生成；②超速測試；③基于模式／故障選擇的混合型技術。本書對
用于工業界的以及為測試小延遲缺陷而由學術界所提出的不同的測
試方法進行了詳細的分析
