微電子學蝕刻-硅微結構裝精密檢測顯微鏡
由于具有較小的粒子自由路徑，所以不可能進行具有方向性
的傳輸過程。在微電子學中僅起著第二位重要作用的特殊方法是濕
式化學各向異性蝕刻方法。由堿性浸蝕劑去除硅的速率取決于被蝕
刻晶體的晶向，濕式化學各向異性蝕刻方法構成了制造硅微機構的
基礎
上述提到的蝕刻方法可以按照各向異性和材料的選擇性程度進
行分類，主要過程如下，
·等離子蝕刻和圓桶狀蝕刻 蝕刻的作用主要是阻止活性物質
的化學反應如由等離子放電形成的酸根。由于相對較高的工作壓力
，蝕刻過程具有較大的各向同性。通過選擇適當的酸根，蝕刻過程
也可以變得具有高的選擇性。
·活性離子蝕刻(RIE) 這是一個物理和化學過程的組合。在
稀釋的離子束中，高能活性物質的定向移動可以通過加速電壓維持
在蝕刻表面的正確角度。
·濺射蝕刻或離子銑削 這被認為是一個單純的物理過程�；�
學惰性的離子如稀有氣體的離子，在電場的作用下可以在離子束中
產生并被加速到基體而產生物理濺射。
這些過程包括了蝕刻特性的整個范圍，離子蝕刻是各向同性的
。但也可以變成具有大的選擇性，另一方面濺射蝕刻可以通過減少
選擇性而變得強烈地各向異性。而活性離子蝕刻(RIE)是介于中等
各向異性和絕對選擇性之間的一種方法。
封裝技術
在所有制造系統和系統分組內通過把不同技術的構件集成于一
個基體或一個殼內的技術，總結為一個“術語”——封裝技術。在
這一技術下，按照芯片—、線—、反轉—芯片—、TAB-連接、封殼
技術和PCB(印刷電路板)技術等進行了分類。
