硅晶圓片的加工金屬氧化物檢測金相顯微鏡
首先是硅晶的生長和硅晶圓片的加工，然后是單片雙極型或
金屬氧化物(MOS)器件的制備，主要是適用于標準集成電路的工藝
，如晶體管一晶體管邏輯電路(1TrL)、可編程門陣列(PGA)、微處
理器及專用集成電路(ASIC)。隨后討論一些信號的連接和器件封裝
技術，包括在單片電路制備工藝過程中的金屬化互連，以及印制電
路板(PCB)和混合電路的連接、封裝。有時，封裝工藝對微變送器
和MEMS有特別重要的意義。對標準集成電路來說，一般只需采用塑
料包封就可以了，塑料的工藝成本較低，同時又能起到防環境腐蝕
和抗機械應力的雙重保護功能。但有些電路是用金屬殼密封的，封
裝內部為電路創造了一個惰性氣體的環境，它可以保證器件在高工
作溫度下有較高的輸出功率。對有些微傳感器必須特別關注它的裝
配技術和封裝工藝，例如化學敏微傳感器中的離子敏場效應晶體管
(ISFET)，它必須工作于離子性溶液中(甚至河流、蓄水池中)，因
此需要保證它在相當時期內沒有可影響它工作的污垢產生。又如機
械微傳感器和大氣氣壓傳感器，它也需要能在一定環境條件下長期
工作，所以在這里將有針對性地介紹一些不同的封裝技術。
針對硅單片電路的，因為無論是對集成電路，還是對微變送器
(這里用它作為對微傳感器、微執行器的統稱)、智能傳感器和MEMS
來說，目前硅仍然是較重要的半導體材料。
