晶圓制造樣品厚度、晶向、微粒數實驗圖像顯微鏡

　　硅片的電阻率可從o．001 Ω·cm至20 000 Ω·cm不等。高電阻率
的硅有時可替代電介質基片而用做絕緣基片。絕緣體上的硅晶圓片提供
了較佳的雙面加工途徑：在兩層硅中間的絕緣層(通常是二氧化硅)提供
了電絕緣，中間的氧化層可以作為停止層，這樣兩邊的硅可以獨立進行
加工。薄層可以從硅晶圓片表面取下，轉移到另一塊基片表面，這塊基
片材料可為非硅材料。

　　硅片的直徑有3英寸①，100mm，125mm，150 mm，200 mm和300 mm
。除了尺寸，晶圓片的技術指標還包含電阻率和摻雜類型、厚度及其誤
差、晶向、微粒數等。

　　晶圓片可以是單晶、多晶或無定形態。硅、石英、砷化鎵(GaAs)、
碳化硅(SiC)、鈮酸鋰(LiNb03)和藍寶石(業03)是單晶基片的例子。多
晶硅在太陽能電池的生產上具有廣泛的應用，薄膜晶體管可在鋼基片上
制備。非晶基片也很普遍，如玻璃(金屬氧化物，如Na20與si02混合)、
熔融二氧化硅(si02與石英化學分子相同)和氧化鋁(鴿03)；其中，氧化
鋁是通用的微波電路基片。塑料片也可用做基片。對于特殊的基片，必
須對其尺寸、純度、光潔度、熱穩定性和機械強度等進行評價。由于微
加工設備是從硅片工藝開發出來的，所以圓形基片比正方形和長方形基
片更易適應微加工工藝。