集成電路制造微加工質量檢測工業立體顯微鏡
當一組光刻掩膜版提交給集成電路制造商時，微加工的過程
就開始了。光刻掩模版是所要制造的集成電路設計的物理表示，滿
足一定的布局布線規則。硅晶圓提供了集成電路的基底。晶圓的加
工采用了磨削工藝，以產生平坦的表面，此時的晶圓仍具有導電性
。晶圓的絕緣通過在表面生成一層絕緣的熱氧化物來實現。淀積的
導電層用于形成晶體管。在絕緣層和導電層淀積方面，已經開發了
若干種技術，例如濺射、基于磁控濺射的物理氣相淀積、化學氣相
淀積(CVD)，以及利用金屬氧化物CVD、分子束外延和化學束外延等
方法實現的外延層生長。導電層被劃分為單獨的電阻。
利用光刻技術將獨立的電阻淀積到晶圓上。要較終形成集成電
路還需要進一步的處理，在這步處理中，可運用諸如圖形轉移、刻
蝕、淀積和生長等工藝方法。正是這些方法，還被用來制作多種多
樣的、由硅基材料構成的微米級產品，服務于集成電路之外的諸多
應用。
微米加工
集成電路制造傳統上所采用的微米加工方法可以被歸入機加丁下藝
標準微機械加工工藝流程�；竟に嚥僮鳎狠^初對襯底進行清洗，
運用多種淀積技術覆以薄膜，運用光刻技術在其上制作掩膜，以刻
蝕工藝來形成所需要的微米尺度的圖形，用化學腐蝕或者等離子體
刻蝕除去掩膜材料，較終對所生成的結構進行特性測量。
微米尺度上的加工由添加、倍增和去除三個基本階段構成。添
加階段是在襯底材料上涂覆一層薄膜。這可以采用在襯底上電鍍或
者向襯底噴涂一層液體膜并使之干燥的辦法來實現；也可以通過氧
化或者在大氣室內涂層來形成薄膜。其他的方法包括：以熔融鍵合
工藝將固體材料固定到襯底上，或者利用低壓及高壓真空技術來將
薄的涂層粘貼到襯底上。圖形的倍增復制也具有多種形式，在制備
微米級尺寸結構特別是在制造微／納米流體器件的管道狀結構時是
必不可少的工藝步驟
