光學分析顯微大小的晶體鑒定,粒度自動分析顯微鏡
由于化學組成相同，各種SiC 變體自然不能用化學方法區分開來，
其他就去的定量分析，特別是立方變體的定量分析，又遇到如下的困難
：1 、光學分析只是對純晶體才能作出可靠的鑒定，可能以亞顯微大小
存在的立方- 六方合生體則不被發現，而且具有一維無序的立方晶體在
光學上也是一軸的，因此分類時就會發生錯誤。
2 、SiC 晶體的幾何關系要求所有的變體都具有幾乎相同的點陣能，
因此變體行為上的區別只在表面起著決定性作用的過程中才是重要的，
而與氣相的反應首先就歸屬于這種過程，在純的變體中，立方晶體的特
點是：以其4+4 個等值的，一般以穩定著稱的面可以構成所閉合物質的
兩個四面體，而在六方和菱形變中則只存在兩個穩定性相同的底面，它
們不能把晶粒完全封閉住，很明顯，這樣的對比只有在粒度幾純度都相
同的條件下才能進行，這種研究工作過去沒的進行過，因為直到目前為
止，所有的純變體都尚末制備成功。
3 、不但在單晶體照片中，而且也在角度分辨率高的粉末照片中，
立方SiC 的全部X 射線反射都與顯然合乎規律地與之合生在一起六方變
體的反射重迭起來，因為戀人析軸比=4.908，而不是理論值的4.899 ，
但是這些不同樣品的干涉線條一般是鍘好可以彼此明顯地區分開來，而
有時又只有一條彌散帶可以辨認，這點干涉線條可以因輕微的點陣應力
而顯得模糊，關于這種合生是原來已有的，還是以后轉變而成的問題，
首先就不能解決。
4 、在等吸收的粉末物質混合物的X 射線定量分析中，待研究物質
的非重迭線德棉股份強度與該物質的濃度成正比，比例因子必須通過校
正試驗加以確定，此需要制備純凈的物質，這在SiC 變體來說，是有如
下困難的。
立方變體固然可以制成純凈狀態，但是它沒有非重迭的線條。
六方和菱形變體雖然有非重迭線條，可是，它們目前還不能夠確的
把握地制成純凈狀態。
針對而進一步發展起來的X 射線定量分析理論被應用于SiC 和SiC
混合物了，針對而發展的理論要勝過針對的理論，而且也象后者那樣付
諸實踐了，在和這兩種情況中，都必須從結構因數計算真實的強度，在
這當中，人們看到，對SiC 系統來說，在法中由于所討論的特殊情況對
稱性緣故，只要對Si和C 的原子振幅作出少許的特定假設，就可以那樣
地解決問題了，但是為了要達到更大的準確度起見，較好方法實驗測出
真實的強度，而不采用計算的辦法，在這兩種方法中只有良好的SiC 晶
體才能測定，而對錯排的變化，則不適應，樣品如含有一部分可能存在
的，數量末知的錯排SiC ，則SiC 變體的定量測定結構無疑要產生誤差。
此處介紹的測定立方SiC 含量的方法曾應用于只發生SiC 線條，因
而首先含有純SiC 的這樣一種我的上，但是，既然立方SiC 的全部線條
與SiC 的線條重迭，因此樣品中也可能含有若干數量的SiC.
