金屬一氧化物一半導體結構表面金相分析顯微鏡

    擴散和器件結構的關系是多方面的。首先，通過擴散在集成電
路中提供有器件意義的區域，這些區域就是能得到晶體管、二極管
、電阻和比較復雜的半導體結構的p型區和n型區；雜質擴散的第二
個作用是在較復雜的集成電路中對半導體區域之間提供隔離；第三
個作用是通過專門的擴散以達到改變某一區域的電導率(即集電極
區域埋層)和改變半導體結構的復合(保護環擴散)，以及用來制控
表面。在金屬一氧化物一半導體結構中，雜質分布會改變表面附近
反型層的類型和特性。較后，擴散還可用作壽命控制，特別是在高
速數字集成電路中，引入諸如金之類的雜質，就可降低材料載流子
的復合時間。既然在復雜的集成電路中，各種類型的擴散可能出現
在任一器件內，所以必須搞清楚一次擴散對另一次擴散的影響。這
一點有特別重要的意義。這種相互作用與其它相互作用的相互關系
，例如在加工半導體的同時所進行的氧化，也必須予以考慮。
    為了說明制造功能塊所使用的擴散和氧化過程，現在討論一F
簡單晶體管的加工工序。所用的硅片是p一型的，其電阻率為5歐姆
一厘米，厚度約為250微米。

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