測量外延層厚度-使用標有刻度的顯微鏡目鏡測量
外延淀積層的測定
厚度與厚度梯度
目前常用的測定法有兩種，現介紹如下：
磨角染色法
外延層和襯底導電類型相反時使用這種方法。
1．從待測的每片硅片上劃下一小塊。這樣做是為了識別
基座上每片硅片的位置和定位。
2．淀積后，緊接著從前至后將每片硅片掰成兩半，并將其
中半片裝在磨角器上。大得足以固定半片硅片的磨角器將會給
測定帶來很大的方便。
3．將硅片樣品磨出角度并用象氫氟酸加上
三滴硝酸等那樣的PN結染色液進行染色。
4．用標有刻度的顯微鏡目鏡測量染色部分，或用單色光源的干涉
儀對條紋計數。
測量外延層厚度的較普通方法是紅外干涉法。此方法是根
據輕、重摻雜硅之間在折射指數方面存在微小的差異。外延層
與襯底的折射指數方面的這種差異將會產生反射，在一定條件
下在紅外光照射下能觀察到由這種反射形成的干涉條紋。
硅相當硬又很脆，其表面能拋光得光亮如鏡。從性質上來
說，硅在很多方面表現為金屬，但在有些方面則介于金屬(導體)
與非金屬(絕緣體)之間。一塊0．02英寸厚的單晶硅片若變形
得厲害就要象玻璃一樣破裂，但與玻璃不同之處在于，硅單晶容
易沿某些固定的平面破裂，而玻璃則無這種情況。
