電子顯微鏡的應用技術-微細圖形的氧化層厚度
對亞微米技術的需求來自持續不斷地要求改進微電子技術
的壓力。目前的光學方法巳達到極限。日趨復雜的電子系統不
斷把存貯器和邏輯電路推向更高的水平。人們正設法在成本、
速度、集成度和功耗方面作進一步的改進。
在微波領域，看來砷化鎵器件可提供更優良的性能。在名
目繁多的微波產品中，硅器件仍然有很廣的應用范圍。
對硅技術及其局限性進行討論是有益的。硅加工技術顯然
仍將取得進展。電子束制版的問世看來是硅技術發展史上的又
一個里程碑。
為了使亞微米技術的成本一效果更佳，必須克服現有的一些
技術局限性。因為集成電路的掩模尺寸減小了，所以產生了新
的尺寸減小、問題。掩模尺寸的減小與加工能力的提高相輔相
成。、任何實用靜硅集成電路都需要幾塊掩模，因此，隨著尺寸
的減小，掩模對準變得越來越關鍵了。
在工藝加工方面有多種選擇方案，這些方案對亞微米系統
的性能可產生顯著的影響。各種自對準技術已在光學尺寸中使
用了多年。其中的一些技術將適用于亞微米工藝。人們還可以
改變有關擴散的掩蔽技術。采用微細圖形的氧化物源就不再需
要掩蔽用的特定的氧化層厚度。
隨著尺寸的日益減小，理論研究顯示了基本的局限性。目
前大部分半導體理論建立在關于空穴和電子的統計概率的基礎
上。由于尺寸越來越小，特殊分布的統計概率就減小了。盡管
這較終將使亞微米技術產生局限性，但對0．5微米尺寸來說還
是不成閩題的。較后，重要的是確切地找出這些局限性是什么，
但是在目前，實際生產中的問題已經存在。
由于尺寸極小，已無法用常規光學方法在硅片上刻蝕集成
電路圖形。這種微細尺寸使光學檢查手段一籌莫展。為替代可
見光，人們用X射線和電子束制作半導體晶片上的圖形。
