集成電路氧化膜的厚度計量中光學顯微鏡的應用
使用不同的測試方法。集成電路具有很多的測試端點及測試項目，
而且要高精度地測試，故需使用集成電路自動測試儀。在制造廠
商方面，采用了按測試項目的順序編制程序和程序容量大的高速
自動測試儀。通過以上各種測試過程，可以評價所研究的集成電
路的優缺點、設計和制造工藝的優劣、電路結構的合理性和適應性
等等。
首先，應檢查所研究的集成電路的外觀(照片)以及外殼尺
寸，然后揭開外殼的蓋子，以各種倍率拍攝集成電路芯片表面的
照片，描繪蒸發互連線以及各元件的圖形。此時，還要區分n型
部分和p型部分，然后觀察引線與壓焊點的連接方法以及引線的
材料與直徑。
其次，要加熱以便從支架上取下芯片，測定此時的加熱溫度，
以判斷支架與芯片之間的粘結材料的性質。對于外殼和引線等，
使用光譜分析法和化學分析法來推斷所采用的是何種物質。為了
去掉芯片上蒸發的鋁互連線，要用NaOH加以溶解，以顯示出器
件圖形，再根據表面干涉條紋推斷氧化膜的厚度。接著，用金屬
膜覆蓋在芯片表面，用干涉顯微鏡求出表面起伏的分布，然后去
掉金屬膜，再用HF去掉Si02膜，使Si表面露出，再用干涉法
測量它的起伏狀態，據此確定氧化膜厚度的分布。在這一階段推
斷擴散工藝的順序等。
然而，在測得構成集成電路的元件的電學特性后，必須去掉
鋁蒸發膜互連線。
隨后再觀察構成集成電路的電阻、電容、二極管、晶體管等
元器件的形狀、尺寸和斷面結構，并畫出其圖形。
