電子顯微鏡中觀察純鋁樣品電阻率測量試驗

    在含有鎂的樣品的情況下，雜質元素的影響定性地和在
銅的情況相同。差別在于開始表現出雜質元素影響的臨界濃
度(在鎂的情況下臨界濃度較高)，以及在雜質有效的濃度
范圍內的抑制作用。對于一個給定雜質元素濃度，在鎂的場
合此抑制作用是較強的.

    根據“低”濃度范圍(雜質元素無影響)和“高”濃度
界面于是離開氣氛:雜質就沒有影響了，其行為和很純的金
屬中一樣。但這個理論不能完全解釋在過渡區觀察到的現象
(

    在含有較高濃度雜質元素的合金研究中，電阻率測量和
力學性能測定表明，在再結晶之前，在空位消失之后存在一
個回復階段.在電子顯微鏡中觀察金屬薄膜表明，這回復階
段對應于冷加工狀態特征的疇結構的完整性增加.測定了雜
質對這種現象的影響，電阻率測量結果證明，在區熔提純鋁
中不存在回復.于是因為沒有回復的干擾，在這種金屬中研
究再結晶特別有意義。

    利用區熔提純鋁制備極低濃度合金，能說明某些涉及雜
質對再結晶的影響的重要問題。而在工業高純鋁樣品的情形
中，必須考慮沉淀現象和所含大量雜質間可能的相互作用，
這樣的研究將是特別復雜的。

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