集成電路的材料制造工藝電學特征外觀測試顯微鏡
集成電路比僅由分立元件構成的電路，集成度更高，完成的
電路功能更復雜，其制造工藝則是平面外延晶體管工藝的延伸，
由外延、光刻、擴散、蒸發和組裝等一系列工藝所組成。它的制
造工藝所以變得如此復雜，其根本原因在于擴散和光刻工序增加
了，各元件之問既要隔離叉要互連。
集成電路的材料，可供選擇的有鍺、硅和砷化鎵。但從所要
求的溫度范圍、電學特性和現有的翩造工藝來看，能實際應用的
主要是硅。在制造之前，必須進行電路設計和結構設計。在電路
設計，例如數字電路的設計中，應先考慮速度、扇出、噪聲容限、
功耗和成本，以決定電路方式。然后考慮器件參數的限制，選定
輸入輸出端數目和互連線少的電路。硅襯底的電阻率和外形因產
品種類而異，但應考慮適應性而對電路實行標準化。在以后的結
構設計中，要決定元件的排列和隔離島的數目，并對布線的交叉、
、芯片面積為較小、寄生效應和容許偏差等給予充分注意。這樣，
設計才算完成。
首先，制作硅單晶，把它切成
大片，用研磨、拋光或腐蝕的方法進行機械拋光及化學拋光；氧
化，用光致抗蝕劑進行光刻，進行選擇擴散以制作埋層。其次，
除去表面氧化膜，進行外延生長，然后進行氧化、光刻和隔離擴
散，為了形成基區進行光刻和選擇擴散，基區和電阻層可以同時
形成。再其次，為了形成發射區進行光刻和選擇擴散，有時為了
縮短晶體管的開關時間，要從集電極一側進行金擴散。較后蒸鋁，
并用光刻除去不需要的那部分鋁以形成互連布線，至此，大片的
處理工序就告結束。這時，在大片上就已同時形成幾十乃至幾百
個集成電路。下一步則進入組裝和測試工序。首先進行大片的電
學特性測試，判定合格與否，再劃線分割成小片，用顯微鏡對合
格小片作外觀檢查。然后把小片固定在外殼上，再進行鍵合，把
小片上集成電路芯片的各端點電極和外殼引線用細金線或細鋁線
連接起來。較后密封到管殼內，進行電特性及環境試驗，至此才
作出成品。
