金相分析圖像顯微鏡鑲,嵌試樣和試樣研磨技術的常識
垂直截取半導體材料可以用類似于磨角拋光的技術垂直地
.將一個大的試樣研磨到預定的部位，所需的時間通常超過兩小時.
在鑲嵌試樣時應將其一部分高出于嵌入器的頂端，加熱嵌入器，并
在它平行于長軸的面上熔上一層粘結劑.將試樣放在熔化的粘
結劑上，并壓緊試樣作圓周運動以驅除多余的氣體和粘結劑，并
使之緊貼在嵌入器上.當嵌入器還是熱的時候，把固定器倒置過來，
使固定器擱置在一塊顯微鏡的蓋玻片上，并使試樣的邊緣擱在支
承蓋玻片的表面上.
這樣，試樣將比嵌入器的頂部表面高出相當于蓋玻片的厚度.
這種使試樣邊緣平行于嵌入器邊緣的固定也有助于拋光的進行.
為了不影響其后的拋光過程，必須除去試樣頂部邊緣及嵌入器頂
部表面上過多的粘結劑.用棉球和適當的溶劑是可以除去這些多
余的粘結劑的.由于拋光的表面積較大，使所需的拋光時間較長，
在拋光之前不妨先用1800#磨料研磨試樣.磨料與水放在另一個
表面制備與拋光板相似的研磨板上，用手指攙合以使之均勻.如
所加的水太少，漿液太濃，研磨固定器就不容易在漿液中移動.如
漿液太薄，則單位時間內磨去物太少.正常的漿液(薄糖漿的濃
度)會隨著半導體被磨掉而變色.這種漿液的變深是正常的，并能
指出何時應以一批新的漿液來代替.試樣被研磨到顯露出所需的
目標前就暫停.
