集成電路的檢驗用立體顯微鏡-樣品的制備特點

供顯微鏡檢驗用的半導體材料和器件的試樣的準備過程。

    （顯微鏡和攝影裝置。）準備過程又細分為兩部分。一部分是關于
獲得供觀察的正確表面的技巧，另一部分是關于使所需要的細節變為可
見的腐蝕、染色和綴飾處理。

    還有許多其它方法，這些方法是利用電導率與磁感應強度特性來測
量金屬薄膜厚度的。大部分方法適用于具有很大橫向擴展的較厚薄膜。

    同時，也有使用電子背散射法和x 射線熒光法的。后者不需要依靠
金屬的特性，但將它用于重元素時效果好，故

    一般適用于金屬薄膜。x 射線探針法能在非常小的區域進行測量，
光束直徑能夠小到只有幾微米，其靈敏程度可用來估計在100 埃范圍內
Ni/Cr 薄膜的厚度。

    在晶體管和集成電路的檢驗工作中，截取的作用是顯露表面以下的
區域，使金屬交界面呈現出來，能夠染色或腐蝕，以確定p-n 結或不同
的晶體完整性的區域。

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