測量方法特別用于分析金屬薄膜的電阻率-顯微鏡常識

    應用與大試樣相同的方法研究了退火薄膜的變化，即用金相
顯微鏡，X射線照相以及透射電子顯微鏡，并也廣泛使用了某些
特殊方法。例如，電子圖象可給出薄膜結構的信息。而電子物理學

測量方法特別用于分析金屬薄膜的電阻率、磁性薄膜的磁性和
半導體薄膜中載流子的濃度和遷移率.選用的特殊分析方法取決

于薄膜的應用。此外，性能變化的分析給出缺陷的濃度和類型以
及其在回復和再結晶過程中的影響的有價值的資料。

    由于通過結晶獲得的多品休薄膜的晶粒尺寸總是很小的(幾
十~幾百埃)。因此，薄膜再結晶的早期在X光射線照片上、甚
至在電子圖象上常常不顯示反射點。在這種情況下，再結晶的開
始可以通過伴隨再結晶的薄膜織構的變化來確定。

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