高解析電子顯微鏡能解析約0.1 nm

高解析穿透式電子顯微鏡能解析約0.1 nm 原子級的晶體結構和缺陷。為了能夠徹底了解這樣
微小的結構，先考慮硅的單位晶胞的晶格常數大約為0.543 nm，
大約為高解析穿透式電子顯微鏡所能提供之分辨率的5 倍

掃描探針顯微鏡
• 掃描穿隧顯微鏡（STM）和原子力顯微鏡（AFM）。
• 原子尺寸的表面形貌圖形 。
• 掃描穿隧顯微鏡是一個非常尖銳的尖角。
• 傳統上是由金屬，如鎢、鎳、鉑-銦，或金來制造，較近發展也出了碳納米管

穿透式電子顯微鏡
• 穿透式電子顯微鏡中的電子束是將鎢絲的頂部加熱后發散，
產生加速電壓（通常是從100 到300 kV）
• 電磁線圈用于凝結電子束，然后穿透放于樣品區的薄樣。
• 晶體中原子排列的差異將導致電子散射

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