電子元件及電晶體尺寸快速測量工具顯微鏡

了解決電晶體尺寸快速微縮的問題，研發新穎的半導體材料通道技術成
為矚目的發展技術，利用三五族半導體當通道材料可以比矽擁有更快速度以及更
高功率元件的應用。在這研究中，我們利用高解析電子顯微鏡以及Ｘ光繞射能分
析成長的三五族半導體上的高介電閘極氧化薄膜之微結構。

氧化鋁/氧化鎵與氧化釓混合氧化物成長于砷化銦鎵/砷化鎵組合的異質結
構，觀察經過快速高溫退火至850℃后之結構。發現砷化銦鎵/砷化鎵的界面尚未
釋放應力具有很高的熱穩定性，以及很好的電子元件特性，這對于未來自我對準
式反轉通道增強型的金氧半場效電晶體的制備非常重要

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