掃描電子顯微鏡可觀察納米級的顯微結構

利用氧化鎵與氧化釓混合氧化物為閘極的電晶體具有未被扎住的費米能
階以及極佳的電子元件特性，較重要的關鍵在于成長初期所形成的磊晶氧化釓。

利用掃描穿透電子顯微鏡形成的高角度環狀暗場影像觀察出原子界面的結構，而
從顯微結構也得出界面形成為了調節晶格不匹配性的界面錯位差排。

除此之外，為了高??功率元件的應用，我們成長納米級厚度的磊晶氧化釓薄
膜于氮化鎵半導體上，令人感到有趣的相變化具伴隨著膜的厚度而發生，當膜厚
超過三納米厚度時會從六方晶系變化到單斜晶系，我們利用高空間解析度的電子
能量損失能譜與掃描穿透電子顯微鏡結合的方式去觀察不同結構中電子能量損
失近邊緣結構的差異

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