以金相顯微鏡觀察單晶LED元件的靜電實驗
單晶LED元件的靜電實驗結果分析
同樣的傳統低功率子彈型LED(Lamp LED)，食人魚型LED(Piranha LED)，
經過靜電放電測試后的LED單晶已被破壞，直接影響原有的靜電耐受度而大幅衰減
及較難偵測出來的包含晶粒、封裝體、金線、支架等的內部構造，
所以根據靜電放電帶給LED Chip 所形成的瑕疵分析利用金相顯微鏡深入觀測探究，
先對還未執行實驗的靜電放電測試的子彈型LED(Lamp LED)輸入電流20mA 點亮量測IV curve
，進行環氧樹脂(Epoxy)打磨后正面分析
LED 溶解環氧樹脂(Epoxy)后結構無異狀，LED 溶解環氧樹脂(Epoxy)后可正常點亮，
另對經過靜電放電實驗后進行檢測溶解環氧樹脂(Epoxy)前LED外觀未發現有不良現象，
打磨后觀察正常，環氧樹脂(Epoxy)溶解后正面觀察均為良好，
側面觀察良好，晶片放大觀察，發現有擊傷現象，將晶片局部放大觀察，然而對食人魚型LED 靜電放
電實驗進行量測有漏電之IV 特性曲線，
將失效晶片以金相顯微鏡觀察靜電放電(ESD)破壞而產生得焦黑現象，
針對逆向電流偏高使用雷射光束電阻異常檢驗儀(OBIRCH)分析漏電路徑發現綠色光點為漏電位置針對綠色光點
為漏電位置使用掃描式電子顯微鏡(SEM)儀器確認電極處有靜電造成破壞
