試樣金屬研磨后使用金相/電子顯微鏡檢測金相結構

探討先進電子顯微偵測技術于互補式金屬氧化物半導體制程中的普遍應用。
在前段制程常出現的底層接觸窗斷線及部分斷線進行成功檢測，并針對成像的灰階相對于斷線程度進行比較，
并進而得其線性關系。對于90奈米或65奈米線徑以下之前段制程常見之矽化鎳成管狀鉆出之縱向分佈作了
深入的實驗探討。在65奈米線徑以下前段制程常見之多晶矽閘極與其旁之接觸窗短路之
偵測技術作一系列條件測試終能順利測得。

后段制程常出現的底層通道斷線及部分斷線進行成功檢測。
部分晶圓廠為了防止金屬氧化而在金屬研磨后再過了下一站沉積上一層氮化矽或滲碳氮化矽后才作電子顯微鏡檢測
之偵測技術也作了實驗探討，并針對成像的灰階相對于斷線程度進行比較，并進而得其線性關系。
電子顯微鏡缺陷檢測技術在應用上也有其限制。實驗量化其受到電磁波干擾的現象。
另也做了實驗證明在電子顯微鏡掃瞄后的晶片其下一站不應安排進行水洗。
對于某些條件可能會造成晶片被電弧破壞或造成污染也進行實驗探討

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