LED封裝外觀檢測顯微鏡-封裝技術常識
封裝技術
覆晶(Flip Chip)接合封裝技術中，一個焊錫凸塊往往包含不同的金屬化墊層
(Under Bump Metallization, UBM)結構。
而焊錫接點與金屬墊層的反應則直接會影響到接到的機械性質以及電性。
同時隨著無鉛焊錫的采用，與焊錫反應較為和緩的Ni金屬墊層也逐漸成為關注的焦點。
電鍍Ni與無電鍍Ni與焊錫接點的回焊以及時效之反應．由于電鍍Ni為結晶結構，
而無電鍍Ni雖為非晶質結構，卻會在反應之過程中形成一層柱狀之Ni3P，
而相對的加快了反應之速度。而由其兩種金屬墊層與錫鉛以及無鉛焊錫之反應，
可以明確得到電鍍Ni確實大大的減緩了介面反應的速率，
相對降低界金屬化合物Spalling的可能性。同時，隨著可攜式電子產品微小化的
趨勢，覆晶封裝焊錫接點也須隨之縮小，
因此焊錫接點所承載的電流密度逐漸提高，在高電流密度的影響下，
覆晶封裝焊錫接點因電遷移產生可靠度的議題受到重視。
此外，導線所產生的焦耳熱效應嚴重影響焊錫接點內部的溫度分布，
因為溫度差產生的溫度梯度產生熱遷移的破壞，熱遷移的破壞也越來越受到注目
