PL光譜測量分析技術簡介-微熒光顯微鏡

微熒光光譜量測分析技術

　　PL光譜已經是一個相當成熟的非破壞性量測技術。透過PL光譜的分析，可檢測發光半導體中許多材料特征，
如能隙大小、雜質活化能或化合物半導體的組成等特性，進而與其他檢測技術交叉比對。
當入射光能量高于材料之能隙時，價帶(valence band)中的電子受到激發而躍升至導帶(conduction band)，

形成電子-電洞對(electron-hole pair)。當電子與電洞再次複合時，會產生熒光，稱為輻射性複合。

此外，電子與電洞也可能以非放光方式將能量釋出，亦稱為非輻射性複合。
當導帶中的電子與價帶中的電洞彼此因庫倫作用力而束縛在一起時，稱之為激子(exciton)。由于激子具有束縛能，
會導致其複合時的能量將小于能隙的躍遷能量。

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