顯微鏡來觀測積體電路，解像力約為4微米
解像力由光點大小來決定。實際的顯微鏡系統，其實有一塑膠膜覆蓋在鏡片上，掃描的雷射光點愈小則塑膠膜的不良效應愈顯著（光點愈小在膜中發散愈大，且能量愈小愈易被塑膠膜吸收），當光點大小小至聲波波長的兩倍，則所覆蓋的塑膠膜再也無法反應出聲波強度了。
反之，光點大則解像力差。較小的可用光點約為聲波波長的1.5倍，因此，解像力其實和第一類顯微鏡上一樣受限于聲波波長而非光波波長。對于同樣的操作頻率，第一類顯微鏡的解像力比第二類要好3～4倍。
第三類的顯微鏡，在發射器與接收器的安排上正和第二類相反。此類顯微鏡乃是用一雷射光或電子束來照射與掃描受測物以激發超聲波，在受測物背面貼一壓電換能器以接收所產生之超聲波。因此，這類顯微鏡和前兩類，在聲波的激發上大不相同。受測物因雷射或電子束照射而發熱，藉材料所謂的熱彈性特性，而產生彈性波，因此所顯示的影像其實是反應材料的熱與彈性特性對光或電子的吸收系數，及波束在物體內的發散特性，而非材料對聲波的穿透特性。
解像力則受限于電子束或雷射光束的大小，及波在受測物內部發散及熱擴散的情形。受測物受雷射光或電子束的週期性照射，週期性的產生熱量而激發出熱波（thermal wave），其波長則決定于受測物的傳熱度、密度、比熱及激發的雷射光或電子束的頻率。在金屬中，若激發頻率由200KHz～200MHz，則對應波長為5.0～0.2微米。在熱絕緣體中，則對應波長由1.0～0.03微米。目前，用此顯微鏡來觀測積體電路，解像力約為4微米；若受測物為一薄膜，則解像力可高至0.1微米
