使用顯微鏡觀察材料顯微結構及光學和電子特性

制備的硅納米晶的材料性質：SiC薄膜，其特征在于由傅里葉變換紅外光譜儀，X-射線，X-射線光電子光譜儀，
拉曼光譜儀，字段diffractormeter發射掃描電子顯微鏡，霍爾和N＆K分析儀。

H2流量比率的化學組成，顯微結構，光學和電子特性的Si-納米SiC薄膜起著重要的作用。

SiC薄膜的結晶級分的Si-奈米增加隨著H2流量比增加。的光學帶隙和摻雜濃度顯示的正相關性，
而電阻率和活性能量顯示負的Si-奈米與碳含量的相關性：SiC薄膜。中的增強的Si-C伸縮模式和對面的Si-H，
擺動模式作為碳含量的Si-奈米：SiC薄膜進行了增加。

p-型Si-奈米：碳化硅沉積參數的優化后，我們制作了硅HJ與鋁/ ITO / p型硅納米結構：
碳化硅電影/征a-Si：H / n型晶體硅：H / ITO /銀/鋁和特點的電池性能。
較后，在Si-HJ細胞與14.50％的轉換效率，開路電壓為520毫伏，和短圓電流密度為42.5 mA/cm2時被實現。

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