晶圓制造化學機械研磨簡介!晶圓檢查顯微鏡出售

“化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)”是進行多層導線架構時較重要的步驟。

由于線寬小、面積小、CMOS數目多是未來矽晶片發展的趨勢，為了要滿足這些條件就必須使用多層導線架構，

而多層導線架構中每一層都必須非常平坦，必須使用“化學機械研磨(CMP)”來將各層金屬表面“磨平”，

因此化學機械研磨(CMP)成為各晶圓廠是否可以成功地躍進到0.13m(微米)甚至90nm(奈米)以下制程的重要關鍵。

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